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6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

硅基光延遲芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

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硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

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SOI納秒電光光開(kāi)關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

高精度7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)

7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)