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硅基光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

硅基 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

硅基單片集成 7bit 可調光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

硅基6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

硅基單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

SOI芯片可調光濾波器陣列該產品基于硅基熱調諧微環(huán)結構，光濾波器的中心波長和隔離度可調，實現了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設計實現了偏振無關特性，光電封裝，數字化驅動。

高速光開關SOI芯片，該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現高速響應的可調光路衰減，實現多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅動電路一體化光電封裝，數字化驅動，偏振相關性小，衰減范圍大，調節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應時間為納秒級，可在高速、低時延系統(tǒng)中應用。